DI028P03PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI028P03PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -30V, -28A, 6.7mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI028P03PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-30 V

Drain Current 25°C	ID	-28.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0067 Ω
	@ ID	-20 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-17.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0170 Ω
	@ ID	-20.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	40.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-80.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	9 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	24 ns
Abfallzeit	tf	12 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	30.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	10 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	2060 pF
Output Capacitance	Coss	370 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	295 pF
Reverse recovery charge	Qrr	40 nC