DI028N10PQ2-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI028N10PQ2-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6-Dual, N+N, 100V, 28A, 21mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI028N10PQ2-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6-Dual
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V
Drain Current 25°C	ID	28.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0210 Ω
	@ ID	7 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	18.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0260 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	28.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	130.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	11 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	22.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	17.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1028 pF
Output Capacitance	Coss	170 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	7 pF
Reverse recovery charge	Qrr	30 nC