DI020P06PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI020P06PT MOSFET, PowerQFN 3x3, P, -60V, -20A, 45mΩ, 175°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	40.000
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI020P06PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-60 V

Drain Current 25°C	ID	-20.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0450 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	-12.600 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0500 Ω
	@ ID	-8.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	35.700 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-70.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	18 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	34.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	16.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	5 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	26.4 mJ
Input Capacitance	Ciss	2089 pF
Output Capacitance	Coss	99 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	50 pF
Reverse recovery charge	Qrr	10 nC