DI018N65D1
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI018N65D1 MOSFET, DPAK, N, 650V, 18A, 0.19Ω, 175°C
Mindestbestellmenge	2.500
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI018N65D1

Typ	SMD
Gehäuse	TO-252AA/D-PAK
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	650 V
Drain Current 25°C	ID	18.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.1900 Ω
	@ ID	9 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	12.500 A
On-Resistance 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	142.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	54.000 A
Schwellspannung	VGSth min	3.0 V
	VGSth max	5.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	42 ns
Anstiegszeit	tr	18 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	90 ns
Abfallzeit	tf	24 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	23.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	7 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	64.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	1200 pF
Output Capacitance	Coss	50 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	2 pF
Reverse recovery charge	Qrr	1 nC