DI018C03PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI018C03PT MOSFET, PowerQFN 3x3-Dual, N+P, 30V, -18A, 30mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI018C03PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3-Dual
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V

Drain Current 25°C	ID	-18.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0300 Ω
	@ ID	-10 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID	17.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0130 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	10.800 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	-80.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Anstiegszeit	tr	71 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	13 ns
Abfallzeit	tf	21 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	12.0 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	6 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	17.8 mJ
Input Capacitance	Ciss	1122 pF
Output Capacitance	Coss	140 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	105 pF
Reverse recovery charge	Qrr	1 nC