DI017N15PT
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI017N15PT MOSFET, PowerQFN 3x3, N, 150 V, 17 A, 65 mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI017N15PT

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 3x3
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	150 V

Drain Current 25°C	ID	17.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0650 Ω
	@ ID	2.000 A
	@ VGS	4.5 V
Drain Current 100°C	ID	11.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0560 Ω
	@ ID	5.000 A
	@ VGS	10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	39.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	30.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Anstiegszeit	tr	1 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	13 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	12.8 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	5.5 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	13 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	55.0 mJ
Input Capacitance	Ciss	618 pF
Output Capacitance	Coss	81 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	7 pF
Reverse recovery charge	Qrr	210 nC