DI017N06PQ-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI017N06PQ-AQ MOSFET, PowerQFN 5x6, N, 60V, 17A, 33mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	5.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI017N06PQ-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 5x6
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drain Current 25°C	ID	17.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0330 Ω
	@ ID	15 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID	10.000 A
On-Resistance 2	RDSon2	0.0390 Ω
	@ ID	10.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	21.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	50.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	27 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	19.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas	3.7 mJ
Input Capacitance	Ciss	1260 pF
Output Capacitance	Coss	47 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	43 pF
Reverse recovery charge	Qrr	5 nC