DI008N09SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI008N09SQ MOSFET, SO-8, N, 90V, 8A, 75mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI008N09SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	90 V

Drainstrom 25°C	ID	8.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0750 Ω
	@ ID	5 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0900 Ω
	@ ID	3.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Ja
Drain-Spitzenstrom	IDM	23.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.2 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	4 ns
Anstiegszeit	tr	26 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	16 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	12.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	12.0 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	2 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas	3.2 mJ
Eingangskapazität	Ciss	1100 pF
Ausgangskapazität	Coss	55 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	40 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC