DI006H03SQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI006H03SQ H-Bridge MOSFET, SO-8, N+P, 30V, 6A, 25mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DI006H03SQ

Typ	SMD
Gehäuse	SO-8
Qualification	Industrial Grade
Config	H Bridge
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	30 V
Drain Current 25°C	ID	6.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0250 Ω
	@ ID	5 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0400 Ω
	@ ID	4.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	60.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	11 ns
Anstiegszeit	tr	15 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	9 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	11.7 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	590 pF
Output Capacitance	Coss	122 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	58 pF
Reverse recovery charge	Qrr	12 nC