DI005P04PW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI005P04PW
MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -40V, -5.4A, 40mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 4.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI005P04PW
DI005P04PW Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 2x2
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -40 V
Drain Current 25°C ID -5.400 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0400
@ ID -4 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 0.0550
@ ID -2.000 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 2.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM -40.000 A
Schwellspannung VGSth min -1 V
VGSth max -2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 9 ns
Anstiegszeit tr 27 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 14 ns
Abfallzeit tf 3 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 19.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 3 nC
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 1078 pF
Output Capacitance Coss 80 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 42 pF
Reverse recovery charge Qrr 5 nC

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