DI005P04PW-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung DI005P04PW-Q
MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -40V, -5.4A, 40mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 4.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer DI005P04PW-Q
DI005P04PW-Q Single
Typ SMD
Gehäuse PowerQFN 2x2
Qualification AEC-Q compliant
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -40 V
Drain Current 25°C ID -5.400 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0400
@ ID -4 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 0.0550
@ ID -2.000 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 2.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM -40.000 A
Schwellspannung VGSth min -1 V
VGSth max -2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 9 ns
Anstiegszeit tr 27 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 14 ns
Abfallzeit tf 3 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 19.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 3 nC
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 1078 pF
Output Capacitance Coss 80 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 42 pF
Reverse recovery charge Qrr 5 nC

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