DI005P04PW-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	DI005P04PW-Q MOSFET, PowerQFN 2x2, P, -40V, -5.4A, 40mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	DI005P04PW-Q

Typ	SMD
Gehäuse	PowerQFN 2x2
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-5.400 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0400 Ω
	@ ID	-4 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.0550 Ω
	@ ID	-2.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	2.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-40.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	9 ns
Anstiegszeit	tr	27 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	14 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	19.0 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	1078 pF
Ausgangskapazität	Coss	80 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	42 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	5 nC