2N7000
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	2N7000 MOSFET, TO-92, N, 60V, 0.2A, 5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	40.000
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	2N7000

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-92
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	0.200 A
On-Resistance 1	RDSon1	5.0 Ω
	@ ID	0.5 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	6.0000 Ω
	@ ID	0.075 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.350 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.500 A
Schwellspannung	VGSth min	0.8 V
	VGSth max	3.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	10 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	10 ns
Abfallzeit	tf	10 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	60 pF
Output Capacitance	Coss	25 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	5 pF
Reverse recovery charge	Qrr