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- SBT1045-3G Schottky, TO-220AC, 45V, 10A, 150°C
- 30CTQ045S Schottky, D2PAK, 45V, 30A, 175°C
- DI330N04D7 MOSFET, D2PAK-6L, N, 40V, 330A, 0.8mΩ, 175°C
- DIT195N08 MOSFET, TO-220AB, N, 85V, 195A, 3.5mΩ, 175°C
- MBR10100 Schottky, TO-220AC, 100V, 10A, 175°C
- MBR30150CT Schottky, TO-220AB, 150V, 30A, 175°C
- MBRS20200CT Schottky, D2PAK, 200V, 20A, 175°C
- MUR860 Diode, Superfast, TO-220AC, 600V, 8A, 50ns, 175°C
- SBCT2045 Schottky, TO-220AB, 45V, 20A, 150°C
- SK1045D2-3G Schottky, D2PAK, 45V, 10A, 150°C
- SK1545YD2-3G Schottky, D2PAK, 45V, 15A, 150°C
- SK2045CD2-3G Schottky, D2PAK, 45V, 20A, 150°C
- SK3045CD2-3G Schottky, D2PAK, 45V, 30A, 150°C
- SK3060CD2 Schottky, D2PAK, 60V, 30A, 150°C
- BZX84C12 Zener, SOT-23, 12V, 0.3W, ±5%
- DI015N25D1 MOSFET, DPAK, N, 250V, 15A, 0.2Ω, 175°C
- DI017N10D1 MOSFET, DPAK, N, 100V, 17A, 105Ω, 175°C
- DI020N06D1 MOSFET, DPAK, N, 60V, 20A, 24mΩ, 175°C
- DI022P06D1 MOSFET, DPAK, P, -60V, -22A, 45mΩ, 150°C
- DI050N06D1 MOSFET, DPAK, N, 60V, 50A, 8.5mΩ, 150°C
- DI100N04D1-AQ MOSFET, DPAK, N, 40V, 100A, 4mΩ, 175°C, AEC-Q101
- DI200N10D2 MOSFET, D2PAK, N, 100V, 200A, 2.3mΩ, 175°C
- DI7A5N65D2K MOSFET, D2PAK, N, 650V, 7.5A, 0.43Ω, 150°C
- S15AYD2 Diode, D2PAK, 50V, 15A, 150°C
- S15KYD2 Diode, D2PAK, 800V, 15A, 150°C
- S15MYD2 Diode, D2PAK, 1000V, 15A, 150°C
- SK10100D2 Schottky, D2PAK, 100V, 10A, 150°C
- SK1060D1 Schottky, DPAK, 60V, 10A, 150°C
- SK20100CD2 Schottky, D2PAK, 100V, 20A, 150°C
- SK20100CD2-AQ Schottky, D2PAK, 100V, 20A, 150°C, AEC-Q101
- SK2040YD2 Schottky, D2PAK, 40V, 20A, 150°C
- ZPD10 Zener, DO-35, 10V, 0.5W, ±5%
- ZPD12 Zener, DO-35, 12V, 0.5W, ±5%
- ZPD20 Zener, DO-35, 20V, 0.5W, ±5%
- ZPD24 Zener, DO-35, 24V, 0.5W, ±5%
- ZPD5.1 Zener, DO-35, 5.1V, 0.5W, ±5%
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结果 121 - 130 of 2284 含有 достижения уровня TRL 3 в рамках реализации договора гранта
Neue und aktualisierte Datenblätter 2021-07-30
Neue und aktualisierte Datenblätter 2021-07-30 Neu: DI036N06PQ2, DI050N06D1, MMDT3946DW, … , please contact technicalsupport@diotec.com. 30.07.2021 Neue und aktualisierte Datenblätter 2021 … -07-30 Neu: DI036N06PQ2, DI050N06D1, MMDT3946DW, … und aktualisierte Datenblätter 2021-07-30 Neu:
New and updated datasheets 2021-07-30
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Industrial Driver Stage - Industrial - Application Reference Diagrams
Diode Gate Protection Active Clamping 0201 0202 0203 0204 Diotec Semiconductor AG Industrial … BYG20D BYG20G BYG20J FR2YSMA SA265 Products 1.5KE33CA 1.5KE440CA P6KE33CA P6KE440CA P6SMB440CA … number SA265, Show details for article number 1.5KE33CA, Show details for article number 1.5KE440CA, …
Neue und aktualisierte Datenblätter 2020-03-04
Neue und aktualisierte Datenblätter 2020-03-04 Neu: ESD3BL24WS, GBU10A, LDI203.3S1, M1L und … , please contact technicalsupport@diotec.com. 04.03.2020 Neue und aktualisierte Datenblätter 2020-03 … -04 Neu: ESD3BL24WS, GBU10A, LDI203.3S1, M1L und MURS460 Aktualisiert: 6.6SM8Z10A, … und aktualisierte
Neue Serie über Schottky-Gleichrichter der 3. Generation: Teil 3/5 - Produkte für Energie-Anwendungen
Neue Serie über Schottky-Gleichrichter der 3. Generation: Teil 3/5 - Produkte für Energie- … .2019 Neue Serie über Schottky-Gleichrichter der 3. Generation: Teil 3/5 - Produkte für Energie- … , die eindrucksvoll ihre Leistung zeigen: Vf
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thermal-considerations-on-power-semiconductors-3 最新动态 保障混合动力/电动汽车在压力下保持冷静——冷却泵由Diotec的65 A / 80 … kopie 最新动态 需要充电吗? 具有开尔文源引脚的SiC MOSFET DIF120SIC053-AQ加速充电过程 cn > latest-news > need-a-charge-sic- … mosfet-dif120sic053-aq-with-kelvin-source-speeds-up-the-process-2 … mosfet-di075n04pt-aq-2 最新动态
NEW: Application Note - ESD Protection Diodes for High-speed Signal Interfaces
. App_Note_ESD_Interface.pdf (1.0 MiB) Products DI5315-02F cn > product > DI5315-02F ESD0521Z cn > … .pdf, Show details for article number DI5315-02F, Show details for article number ESD0521Z, … > ESD0521Z ESD0541Z cn > product > ESD0541Z ESD36CA cn > product > ESD36CA ESD3B24WS cn > product > …
40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: DI040N03PT-AQ: Niedriger Rds(on) im winzigen QFN3x3-Gehäuse
40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: … Releases: stay up to date! 最新动态 18.03.2021 40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: … zulässige Drain-Source-Spannung beträgt bis zu 30 V, bei einer Einzelpuls-Avalancheenergie von 100 … V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3
DI040N03PT-AQ 40 A/30 V Power MOSFET 3.3 x 3.3 mm2封装：小型QFN3x3封装的低Rds（on），AEC-Q101认证
DI040N03PT-AQ 40 A/30 V Power MOSFET 3.3 x 3.3 mm2封装： … Press Releases: stay up to date! 最新动态 18.03.2021 DI040N03PT-AQ 40 A/30 V Power MOSFET 3.3 x 3.3 mm2封装： … 小型QFN3x3封装的低Rds（on），AEC-Q101认证 DI040N03PT-AQ 采用小型QFN3x3，即所谓的“无铅”电源封装，其中的连接几乎全部“隐藏”在设备的底部。 … ，也适用于高频开关。 典型应用包括USB充电器，电源管理，电池供电设备，负载开关和极性保护。
新:应用说明-用于高速信号接口的ESD保护二极管
。 App_Note_ESD_Interface.pdf (1.0 MiB) Products DI5315-02F cn > product > DI5315-02F ESD0521Z cn > … .pdf, Show details for article number DI5315-02F, Show details for article number ESD0521Z, … > ESD0521Z ESD0541Z cn > product > ESD0541Z ESD36CA cn > product > ESD36CA ESD3B24WS cn > product > …