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40 A/30 V Leistungs-MOSFET benötigt nur 3,3 x 3,3 mm²: DI040N03PT-AQ: Niedriger Rds(on) im winzigen QFN3x3-Gehäuse
Der DI040N03PT-AQ ist im winzigen, so genannten "leadless" QFN3x3 Leistungsgehäuse aufgebaut, bei dem die Anschlüsse auf der Unterseite nahezu "versteckt" sind. Der Platzbedarf auf der Leiterplatte beträgt somit gerade einmal 3,3 x 3,3 mm². Der niedrige Rds(on) dieses Leistungs-MOSFETS von typisch 6mOhm erlaubt einen Drain-Strom von bis zu 40 A bei 25°C Gehäusetemperatur. Die zulässige Drain-Source-Spannung beträgt bis zu 30 V, bei einer Einzelpuls-Avalancheenergie von 100 mJ. Das Bauteil eignet sich nicht nur für DC-Anwendungen, sondern dank der niedrigen Ein- und Ausschaltzeiten auch für hochfrequentes Schalten. Typische Einsatzbereiche sind USB-Ladeschaltungen, Stromüberwachungseinheiten, batteriebetriebene Geräte, Lastschalter und der Verpolschutz. Neben dem AEC-Q101 qualifizierten DI040N03PT-AQ kann auch die Standardausführung DI040N03PT bestellt werden. Muster sind ab Lager verfügbar.