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德欧泰克半导体推出的 SI02C120SMA 是一款 2 A / 1200 V 碳化硅肖特基二极管，采用紧凑的 DO-214AA 封装。它具有 1200 V 的高击穿电压、极低的反向恢复电荷以及固有的低结电容，从而提升了其在严苛应用中的可靠性。因此，SI02C120SMA 是驱动高边配置 SiC MOSFET 的理想自举二极管。

驱动高边 SiC MOSFET 是一项重大挑战，因为其源极电压节点是悬浮的，在典型应用中可达数百伏。因此，为了有效开启 SiC MOSFET，栅极电压必须偏置在足以高于源极电压的水平。实现这一目标最具成本效益的方法之一是通过自举电路。然而，传统的自举电路可能会面临限制，尤其是在占空比和工作频率方面，这主要是由于自举电容的快速重复充电时间。我们新发布的 SI02C120SMA 可以显著缓解这些限制。其承受更高强度和重复性峰值正向电流的能力可以省去自举电阻，从而加快充电和放电过程。此外，其良好的低结电容有助于抑制任何可能的电磁干扰引起的振铃，并降低栅极驱动器误触发欠压锁定（UVLO）的可能性。该二极管在严苛环境下的稳健性能甚至超过了软恢复超快硅二极管，使其成为自举二极管选择的更优替代品。

特性

• 高反向击穿电压
• 几乎为零的开关损耗
• 低反向漏电流
• 高效率高频开关
• 紧凑型SMD封装
   

应用

• 辅助电源
• 光伏逆变器
• 通信电源
• 功率因数校正
   

规格参数

• 160°C 时平均正向电流：2 A
• 重复反向电压：1200 V (VRRM)
• 典型正向电压：2 A / 25°C 条件下为 1.40 V (VF)
• 典型反向漏电流：1200 V / 175°C 条件下为 2 µA (IR)
• 总电容电荷：800 V， 2 A， 200 A/µs 条件下为 16 nC
• 封装外形：DO-214AC