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Der DI050N04BPT-AQ von Diotec Semiconductor ist ein leistungsstarker N-Kanal-Leistungs-MOSFET in Automotive-Qualität. Er ist in einem ultrakompakten PowerQFN-3x3-Gehäuse untergebracht. Entwickelt  für platzkritische Automobilanwendungen, verbindet er eine hohe Strombelastbarkeit mit außergewöhnlicher Effizienz.

Mit einem Drain-Strom von 50 A und einem typischen Durchlasswiderstand von 5,5 mΩ (maximal 7 mΩ) sorgt er für minimale Leistungsverluste. Seine schnelle Schaltzeit, geringe Gate-Ladung und sehr niedrige thermische Widerstandsfähigkeit machen ihn zu einer idealen Lösung für kompakte, effiziente Motorsteuerungssysteme.

Der DI050N04BPT-AQ ist für den Betrieb auf Logikpegel optimiert, wodurch sich Leistungsverluste reduzieren und die Gesamteffizienz des Systems verbessern. Er wurde für den zuverlässigen Betrieb in rauen Umgebungen entwickelt und hat einen Betriebsbereich für die Sperrschichttemperatur von -55 °C bis +175 °C.

Merkmale

• Fortschrittliche Trench-Technologie
• Niedriger Durchlasswiderstand
• Schnelle Schaltzeiten
• Geringe Gate-Ladung
•  Avalanche-fähig
• Konform mit RoHS, REACH und Konfliktmineralien

Anwendungen

• Elektronischer Kofferraumöffner
• Elektronischer Türöffner
• Heckklappensteuerungssysteme
• Pumpenmotorsteuerung
• Lüftermotorsteuerung
• Elektrische Sitzsteuerung

Spezifikationen

• 40 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
• 50 A Dauer-Drain-Strom (ID)
• Typischer Durchlasswiderstand von 5,5 mΩ (RDSon)
• 1 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
• ±20 V Dauer-Gate-Source-Spannung (VGSS)
• 37,5 W Verlustleistung (Ptot)
• 200 A Spitzen-Drain-Strom (IDM)
• 50 A Dauer-Source-Strom (IS)
• 200 A Spitzen-Source-Strom (ISM)
• 4,2 K/W Wärmewiderstand (RthC)
• -55 °C bis +175 °C Betriebsbereich für die Sperrschichttemperatur (Tj)
• PowerQFN 3x3-Gehäuse