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Start unserer neuen MOSFET-Reihe: DIT100N10, DI020N6D1, MMFTP3401
Diotec startet 2020 mit einer Reihe von (Leistungs-) MOSFETs. Diese werden in einer Advanced Trench Technologie hergestelllt. Wir freuen uns, Ihnen heute die ersten drei erhältlichen Bauteile vorstellen zu dürfen:
- Der DIT100N10 im TO-220AB Gehäuse ist ein N-Kanal Power MOSFET mit typischem RDS(on) von 9,9mOhm, 100A DC-Drain-Strom und 100V maximaler Drain-Source-Spannung
- Der DI020N06D1 ist ein N-Kanal Typ mit 24mOhm, 20A und 60V im D-PAK Gehäuse
- Der MMFTP3401 im SOT-23 Gehäuse ist ein P-Kanal Hochstrom-Kleinsignal-MOSFET mit 65mOhm, 3A und 30V
Die beiden Power-MOSFETs sind aufgrund ihres sehr niedrigen Einschaltwiderstandes und der extrem schnellen Schaltzeiten ideal für DC/DC-Wandler, Gleichstromantriebe und Elektrowerkzeuge geeignet. Sie bieten eine Reverse-Avalanche-Charakteristik für sicheren Betrieb und lassen sich aufgrund ihrer geringen Gate-Ladung mit wenig Aufwand ansteuern.
Der Hochstrom-Kleinsignal P-Typ kann in allen Arten von Batterie- und Lastmanagement-Anwendungen eingesetzt werden. Er zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und wird in einem platzsparenden SMD-Gehäuse geliefert. Muster aller drei Typen sind ab Lager verfügbar und können hier bestellt werden.