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SiC MOSFET im TO-247 mit 3 oder 4 Anschlüssen

The SiC MOSFET im TO-247 mit 3 oder 4 Anschlüssen

Diotec Semiconductor bietet ein neues Produkt an, dessen Komponenten sich hervorragend für EV-Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Solar-Wechselrichter und Telekommunikations-Stromversorgungen eignen:
Der SiC-MOSFET im TO-247-Gehäuse mit 3 oder 4 Anschlüssen.

DIW120SIC023-AQ, DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ

Die Spezifikationen dieses Siliziumkarbid-MOSFETs sind niedrige Schaltverluste, hohe Spannungspegel (1200 V), maximal 53 mΩ bis 23 mΩ Durchlasswiderstand (RDSon), niedrige Gate-Ladung (von -8 V bis 22 V kontinuierliche Gate-Source-Spannung (VGSS)) und mehr:
DIW120SIC023-AQ, DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ

Daher eignet sich dieses Gehäuse für alle Anwendungen, bei denen hohe Spannungen mit sehr hoher Frequenz geschaltet werden, wie z.B. Ladestationen für Motorräder, Autos, Busse oder LKWs oder Solarwechselrichter. Solarwechselrichter wandeln den von Solarzellen erzeugten Gleichstrom (DC) in Wechselstrom (AC) um, der für die Stromversorgung zu Hause und am Arbeitsplatz benötigt wird. EV-Ladegeräte und Telekommunikationsstromversorgungen benötigen das Gegenteil, hier wird Wechselstrom in Gleichstrom umgewandelt, um eine Batterie zu laden. In beiden Fällen schaltet der Wechselrichter hohe Spannungen mit sehr hohen Frequenzen.

 

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