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SI02C065SMB——专为SiC MOSFET设计的鲁棒性短路保护机制
随着高效高频功率电子设备需求激增（尤其在电动汽车、太阳能逆变器和通信基础设施领域），碳化硅MOSFET正成为下一代设计的核心器件。然而相比IGBT（短路耐受时间约10μs），其更短的短路耐受时间（SCWT约2μs）要求超高速保护方案。
德欧泰克半导体的创新解决方案应运而生。
SI02C065SMB是一款采用紧凑型DO-214AA（SMB）封装的2A/650V碳化硅肖特基二极管，专为保护碳化硅MOSFET短路工况的退饱和检测电路设计。
核心特性：
- 2A平均正向电流（IFAV）
- 650V重复峰值反向电压（VRRM）
- 2A/25℃条件下最大正向电压1.6V（VF）
- 650V/25℃条件下最大反向漏电流50μA（IR）
- 400V/2A/-200A/μs条件下总电容电荷5nC（QC）
- DO-214AA封装外形
典型应用：
- 汽车辅助电源模块
- 太阳能逆变器
- 通信电源系统
凭借低开关损耗与高耐压特性，SI02C065SMB已成为现代碳化硅（SiC）系统中实现鲁棒高速保护的理想选择。