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Mit der Weiterentwicklung von Elektrofahrzeugen steigen auch die Anforderungen an deren Wärmemanagementsysteme. Schnellladefunktionen, leistungsstarke Antriebsstränge und Konfigurationen mit mehreren Motoren erzeugen erhebliche Wärme, die effektiv kontrolliert werden muss, um Effizienz und Langlebigkeit zu gewährleisten. Eine entscheidende Komponente in diesem Prozess ist die Kühlmittelpumpe – angetrieben durch einen bürstenlosen Gleichstrommotor (BLDC), der in 12-V- bis 48-V-Systemen eine Leistung von 120 W bis 300 W liefert.

Das Herzstück dieser BLDC-Motorantriebe ist die Leistungsstufe, bei der Effizienz, Zuverlässigkeit und Robustheit gefragt sind. Hier spielt der DI065N08D1-AQ von Diotec Semiconductor seine Stärken aus.

Entwickelt für anspruchsvolle Automobilumgebungen

Der DI065N08D1-AQ ist ein 65 A / 80 V Power-MOSFET, aufgebaut im kompakten TO-252AA (D-PAK)-Gehäuse, das speziell für leistungsstarke Automobilanwendungen wie Kühlmittelpumpen, Lüfterantriebe, Batteriemanagementsysteme und DC-DC-Wandler entwickelt wurde.

Mit einem typischen RDS(on) von nur 5,5 mΩ, einer geringen Gate-Ladung und einem Gate-Treiber auf Logikpegel bietet dieser MOSFET eine hervorragende Effizienz und ein schnelles Schaltverhalten – ideal für moderne Motorsteuerungsstrategien. Seine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C und seine Avalanche-Robustheit gewährleisten langfristige Zuverlässigkeit, selbst unter rauen thermischen und elektrischen Belastungen.

Key Features:

• Gate-Ansteuerung auf Logikebene für vereinfachte Steuerung
• Sehr niedriger Durchlasswiderstand für hohen Wirkungsgrad
• Schnelle Schaltzeiten für optimierte Motorsteuerung
• Geringe Gate-Ladung zur Minimierung der Verlustleistung des Treibers
•  Hervorragende thermische Leistung
• Avalanche-Auslegung für den robusten Einsatz unter realen Bedingungen

Anwendungen:

• BLDC-Motorsteuerungen (z. B. Kühlmittelpumpen und Hilfsantriebe in Elektrofahrzeugen)
• Batteriemanagementsysteme (BMS)
• DC-DC-Wandler
• Schaltnetzteile
• Allgemeine hocheffiziente Schaltanwendungen

Technische Daten (Highlights)

• 80 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
• 65 A Dauer-Drain-Strom (ID)
• Typischer Durchlasswiderstand von 5,5 mΩ (RDS(on))
• 1 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
• 62,5 W Verlustleistung (Ptot)
• 300 A Spitzen-Drain-Strom (IDM)
• 52 A Dauerstrom der Body-Diode (IS)
• 100 A Spitzen-Body-Diodenstrom (ISM)
• 25,6 mJ Einzelimpuls-Avalanche-Energie (EAS)
• < 2,4 K/W Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse (RthC)
• -55 °C bis +175 °C maximaler Betriebsbereich der Sperrschichttemperatur (Tj)