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Dual Automotive MOSFET with Protected Gate
MMFTN620KDW-AQ 是采用 SOT-363 封装的双 MOSFET。 在 25°C 时，两个 N 通道可提供最高 350 mA 的连续漏极电流、最大 60 V 的漏源电压，并且，在施加 4.5 V的电压时，仅产生小于 2 Ω的导通电阻。 作为一项特殊功能，它们的栅极可抵御高达 +/- 2 kV 的 ESD 电压，所以该物料非常适合具有高 ESD 冲击风险的应用，比如触摸屏的电源管理、控制和显示照明、小型直流电机和致动器线圈的驱动级等等。 由于其低栅极阈值电压和输入电容，该物料也可以可以直接从逻辑输出进行控制。 完全符合 AEC-Q101 标准。 总而言之，这是对驾驶汽车进行短途旅行具有小而重要的贡献，比如在假期中。