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Doppel-MOSFET mit geschütztem Gate
Der MMFTN620KDW-AQ ist ein Doppel-MOSFET im SOT-363-Gehäuse. Die beiden N Kanal Typen ermöglichen einen Drain-Strom von bis zu 350 mA bei 25° C, bei einer Drain-Source-Spannung von bis zu 60 V und einem Einschaltwiderstand von weniger als 2 Ohm bei 4,5 V Gate-Spannung. Als Besonderheit sind beide Gates gegen ESD Spannungsspitzen von bis zu +/- 2 kV geschützt, womit diese MOSFETs besonders für Anwendungen mit erhöhtem ESD-Risiko geeignet sind.
Dies beinhaltet die Lastregelung für Touchscreens, Kontrolleinheiten und Displays, die Ansteuerung für kleine DC Motoren und Stellantriebe und vieles mehr. Aufgrund ihrer niedrigen Schwellspannung und Eingangskapazität können die MOSFETs direkt von Logikausgängen angesteuert werden. Die Teile sind komplett AEC-Q101 qualifiziert. Alles in allem ein kleiner aber dennoch wichtiger Beitrag zu einer entspannten Autofahrt, z. B. in den Urlaub.