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Diotec Semiconductor stellt seinen neuesten Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET DIF170SIC049 vor, der sich durch niedrige RDS(on)-Werte von 49 mΩ auszeichnet. Er ist in einem TO-247-4L-Gehäuse mit Kelvin-Source-Pin untergebracht, was schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste ermöglicht. Dieses Bauteil deckt ein umfassendes Portfolio für verschiedene Anwendungen ab: industrielle Antriebe, Stromwandler, EV-Ladegeräte oder PV-Wechselrichter.

Da moderne elektronische Systeme die Grenzen von Leistung, Effizienz und Kompaktheit immer weiter verschieben, erfordert die Erhöhung der Spannungsniveaus einer Anwendung oft eine Feinabstimmung des Schaltungsdesigns, sei es bei diskreten Bauteilen oder integrierten Schaltungen. Genau hier kommt der neu eingeführte DIF170SIC049 von Diotec ins Spiel. Er wurde für höchste Zuverlässigkeit entwickelt und gewährleistet eine erweiterte Sicherheitsmarge, insbesondere gegen plötzliche Spannungsspitzen, die durch parasitäre passive Komponenten verursacht werden. Ob vier Stück als H-Brücke zum Laden einer Batterie oder sogar als sechs komplexe Schalter in einem Dreiphasen-Wechselrichter – der DIF170SIC049 liefert sowohl unter Soft- als auch unter Hard-Switching-Bedingungen eine zuverlässige Leistung und gewährleistet einen robusten Betrieb und langfristige Schaltungsstabilität. Sein maximaler RDS(on) von 49 mOhm minimiert außerdem Leitungs- und Schaltverluste, wodurch die Gesamteffizienz des Systems und die thermische Leistung verbessert werden. Durch die Kombination der inhärenten Robustheit der SiC-Technologie mit ihrer optimierten Schaltdynamik ermöglicht Diotec Entwicklern, selbstbewusst die Innovation der nächsten Generation voranzutreiben.

Merkmale

• Hohe Sperrspannung
• Fortschrittliche Planar-Technologie
• Niedriger Durchlasswiderstand
• Schnelle Schaltzeit bei geringer Kapazität
• Geringe Gate-Ladung
• Geringe Gesamtschaltenergie
• Technische Muster verfügbar

Anwendungen

• Ladesysteme für Elektrofahrzeuge (EV)
• Solarwechselrichter
• Telekommunikationsnetzteile
• Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
• Schaltnetzteile (SMPS)
• DC/DC-Wandler
• Industrieantriebe

Spezifikationen

• 1700 V Drain-Source-Spannung (VDSS)
• Maximaler Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 49 mΩ
• 100 µA Drain-Source-Leckstrom (IDSS)
• Kontinuierliche Gate-Source-Spannung (VGSS) von -8 V bis 22 V
• Empfohlene Einschalt-Gate-Spannung VGS(on) von 18 V
• Empfohlene Ausschalt-Gate-Spannung VGS(off) von -4 V
• 357 W Verlustleistung (Ptot)
• Bis zu 150 A Spitzen-Drain-Strom (IDM)
• 0,21 K/W maximaler Wärmewiderstand (RthC)
• Betriebsbereich der Sperrschichttemperatur (Tj) von -55 °C bis +175 °C
• Industrie-Standard TO-247-Gehäuse mit 4 Anschlüssen