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Silicon Carbide Schottky Roadmap
diodes feature a high reverse voltage (650 V ... 1200 V) combined with an extremely low "reverse … diodes feature a high reverse voltage (650 V ... 1200 V) combined with an extremely low "reverse … . Flyer_sic-diodes.pdf (71,2 KiB) Produkte SI20C120D2 de > produkt > SI20C120D2 SICW20C120 de > …
Siliziumkarbid-Schottky Roadmap
sich durch ein hohe Sperrspannung (650 V ... 1200 V) sowie eine extrem niedrige "Sperrverzugszeit … sich durch ein hohe Sperrspannung (650 V ... 1200 V) sowie eine extrem niedrige "Sperrverzugszeit … . Flyer_sic-diodes.pdf (71,2 KiB) Produkte SI20C120D2 index.php > de > produkt > SI20C120D2
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Consumer Power Tools Pro Level - Consumer - Referenz-Diagramme
1302 1303 1304 1305 1306 1307 1308 1309 1310 1312 1313 1314 1315 1316 1317 1318 1319 1320 1321 … 1321 1311 Produkte EAL1D EGL1D ER1D ES1D FE1D MUR120 SUF4003 US1D USL1D Produkte DI008N09SQ … FE1D anzeigen, Details zur Artikelnummer MUR120 anzeigen, Details zur Artikelnummer SUF4003 … Produkte S1B
Application Note about ESD Protection
in single line and dual line configurations in various packages ranging from general-purpose (SOD-323) … > ESD0541Z ESD36CA de > produkt > ESD36CA ESD3B12WS de > produkt > ESD3B12WS ESD3B15WS de > produkt … ESD36CA anzeigen, Details zur Artikelnummer ESD3B12WS anzeigen, Details zur Artikelnummer
Now available in TO-247 with 3 or 4 leads, the SiC MOSFET
are low switching losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance ( … continuous gate-source-voltage (VGSS)) and more: DIW120SIC023-AQ , DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ Therefore … DIF120SIC053-AQ de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC023-AQ de > produkt >
Now available in TO-247 with 3 or 4 leads, the SiC MOSFET
are low switching losses, high voltage levels (1200 V), maximum 53 mΩ to 23 mΩ on-state resistance ( … continuous gate-source-voltage (VGSS)) and more: DIW120SIC023-AQ , DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ Therefore … -AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC023-AQ index.php > de >
德欧泰克的SiC MOSFET可提供具有 3 或 4 引脚的TO-247封装
，有 3 或 4 引脚可供选择。 该碳化硅 MOSFET 的规格包括低开关损耗、高电压电平 (1200 V)、最大 53 mΩ 至 23 mΩ 导通电阻 (RDSon)、低栅极电荷（从 -8 V 至 … (RDSon)、低栅极电荷（从 -8 V 至 22 V 连续栅源-电压 (VGSS)) 等： DIW120SIC023-AQ , DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ 因此， … DIF120SIC053-AQ de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC023-AQ de > produkt > DIW120SIC023-AQ
德欧泰克的SiC MOSFET可提供具有 3 或 4 引脚的TO-247封装
，有 3 或 4 引脚可供选择。 该碳化硅 MOSFET 的规格包括低开关损耗、高电压电平 (1200 V)、最大 53 mΩ 至 23 mΩ 导通电阻 (RDSon)、低栅极电荷（从 -8 V 至 … (RDSon)、低栅极电荷（从 -8 V 至 22 V 连续栅源-电压 (VGSS)) 等： DIW120SIC023-AQ , DIW120SIC059-AQ, DIF120SIC053-AQ 因此， … -AQ index.php > de > produkt > DIF120SIC053-AQ DIW120SIC023-AQ index.php > de > produkt >