SiC MOSFETs
Hochgeschwindigkeitsschalter für hohe Spannungen und Leistungen

Artikelnummer	Typ	Gehäuse	Qualification	Config	Life Cycle	pol Polarität	ID [A] Drainstrom 25°C	ID [A] Drainstrom 100°C	VDS [V] Drain-Source-Spannung	RDSon1 [Ω] On-Widerstand 1	@ ID [A] On-Widerstand 1	@ VGS [V] On-Widerstand 1	Tjmin [°C] Sperrschicht Temperatur	Tjmax [°C] Sperrschicht Temperatur	Ptot [W] Verlustleistung	@ TLoc [°C] Verlustleistung	Location Verlustleistung	IDM [A] Drain-Spitzenstrom	VGSth min [V] Schwellspannung	VGSth max [V] Schwellspannung	tr [ns] Anstiegszeit	tf [ns] Abfallzeit	Etotal [mJ] Gesamte Schaltenergie	ESD protected ESD Schutz	RDSon2 [Ω] On-Widerstand 2	@ ID [A] On-Widerstand 2	@ VGS [V] On-Widerstand 2	tD(on) [ns] Einschaltverzögerung	tD(off) [ns] Ausschaltverzögerung	Qg (4.5V) [nC] Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (10V) [nC] Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qgd [nC] Gate-Drain Ladung	Eas [mJ] Einzelpuls Avalanche-Energie	Ciss [pF] Eingangskapazität	Coss [pF] Ausgangskapazität	Crss [pF] Rückwirkungskapazität	Qrr [nC] Sperrverzugsladung	Avalanche Avalanche

Stand: 2026-07-21 18:10:10 UTC+2