IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)
Leistungsschalter für Umrichter

Artikelnummer
Typ
Gehäuse
Qualification
Config
Life Cycle
VCES [V] Kollektor-Emitter Spannung S
IC100 [A] DC Kollektor Strom 100°C
ICM [A] Kollektor-Spitzenstrom
pol Polarität
Tjmin [°C] Sperrschicht Temperatur
Tjmax [°C] Sperrschicht Temperatur
Ptot [W] Verlustleistung
@ TLoc [°C] Verlustleistung
Location Verlustleistung
VGEthmin [V] Gate-Emitter Schwellspannung
VGEth [V] Gate-Emitter Schwellspannung
VGEthmax [V] Gate-Emitter Schwellspannung
VCEsat100 [V] Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
@ IC100 [A] Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
@ VGE [V] Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
tr [ns] Anstiegszeit
tf [ns] Abfallzeit
mnet [g] Nettogewicht
Marking Kennzeichnung
UL94-V0 Flammbarkeitsklasse Gehäuse
RTH [K/W] Wärmewiderst. Sperrschicht
Location Wärmewiderst. Sperrschicht
UL-Recognition UL anerkannt
RTH [K/W] Wärmewiderst. Sperrschicht (b)
Location Wärmewiderst. Sperrschicht (b)
Tsmin [°C] Lagerungstemperatur
Tsmax [°C] Lagerungstemperatur
Solder & Assembly Löt- und Einbaubedingungen
Stand: 2026-09-07 18:10:11 UTC+2