IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistoren)
Leistungsschalter für Umrichter

Artikelnummer
Typ
Gehäuse
Qualification
Config
Life Cycle
VCES [V] Kollektor-Emitter Spannung S
IC100 [A] DC Kollektor Strom 100°C
ICM [A] Kollektor-Spitzenstrom
pol Polarität
Tjmax [°C] Sperrschicht Temperatur
Ptot [W] Verlustleistung
@ TLoc [°C] Verlustleistung
Location Verlustleistung
VGEthmin [V] Gate-Emitter Schwellspannung
VGEth [V] Gate-Emitter Schwellspannung
VGEthmax [V] Gate-Emitter Schwellspannung
VCEsat100 [V] Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
@ IC100 [A] Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
@ VGE [V] Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
tr [ns] Anstiegszeit
tf [ns] Abfallzeit
Stand: 2026-05-11 18:10:09 UTC+2