MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz

Artikelnummer	Typ	Gehäuse	Qualification	Config	Life Cycle	ESD protected ESD Schutz	pol Polarität	VDS [V] Drain-Source-Spannung	ID [A] Drainstrom 25°C	RDSon1 [Ω] On-Widerstand 1	@ ID [A] On-Widerstand 1	@ VGS [V] On-Widerstand 1	ID [A] Drainstrom 100°C	RDSon2 [Ω] On-Widerstand 2	@ ID [A] On-Widerstand 2	@ VGS [V] On-Widerstand 2	Tjmin [°C] Sperrschicht Temperatur	Tjmax [°C] Sperrschicht Temperatur	Ptot [W] Verlustleistung	@ TLoc [°C] Verlustleistung	Location Verlustleistung	Avalanche Avalanche	IDM [A] Drain-Spitzenstrom	VGSth min [V] Schwellspannung	VGSth max [V] Schwellspannung	tD(on) [ns] Einschaltverzögerung	tr [ns] Anstiegszeit	tD(off) [ns] Ausschaltverzögerung	tf [ns] Abfallzeit	Qg (10V) [nC] Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (4.5V) [nC] Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qgd [nC] Gate-Drain Ladung	Eas [mJ] Einzelpuls Avalanche-Energie	Ciss [pF] Eingangskapazität	Coss [pF] Ausgangskapazität	Crss [pF] Rückwirkungskapazität	Qrr [nC] Sperrverzugsladung

Stand: 2026-06-18 18:10:09 UTC+2