MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

(Leistungs-)Schalter und Signalverarbeitung

Stand: 2021-07-23 18:10:10 UTC+2
Artikelnummer
Typ
Gehäuse
Drain-Source-Spannung
VDS
[V]
Drainstrom
ID
[A]
Polarität
pol
[]
Verlustleistung
Ptot
[W]
Drain-Spitzenstrom
IDM
[A]
Schwellspannung
VGSth
[V]
Einschaltwiderstand
RDSon
[Ω]
ID
[A]
VGS
[V]
Einschaltzeit
ton
[ns]
Ausschaltzeit
toff
[ns]
Filter
2N7000 Wire-lead TO-92
60
0.200
N
0.350
0.500
0.8
5.0000 1 10
10
10
2N7002 SMD SOT-23
60
0.280
N
0.350
1.200
2.5
5.0000 1 10
20
20
2N7002A SMD SOT-23
60
0.280
N
0.350
1.200
2.5
2.0000 1 10
20
20
2N7002W SMD SOT-323
60
0.115
N
0.200
0.800
2.5
13.5000 1 10
DI010N03PW-AQ SMD PowerQFN 2x2
30
10.000
N
1.400
50.000
1.7
0.0120 10 10
88
38
DI015N25D1 SMD TO-252AA/D-PAK
250
15.000
N
140.000
60.000
3.5
0.2000 20 10
9
12
DI020N06D1 SMD TO-252AA/D-PAK
60
20.000
N
45.000
60.000
1.6
0.0240 20 10
12
20
DI028P03PT SMD PowerQFN 3x3
-30
-28.000
P
40.000
-80.000
-1.7
0.0067 -20 -10
20
36
DI030N03D1 SMD TO-252AA/D-PAK
30
30.000
N
40.000
80.000
1.5
0.0100 20 10
17
25
DI035N10PT SMD PowerQFN 3x3
100
35.000
N
25.000
130.000
1.7
0.0140 7 10
21
17
DI035N10PT-AQ SMD PowerQFN 3x3
100
35.000
N
25.000
130.000
1.7
0.0140 7 10
21
17
DI035P04PT SMD PowerQFN 3x3
-40
-35.000
P
25.000
-120.000
-1.7
0.0150 -10 -10
40
32
DI035P04PT-AQ SMD PowerQFN 3x3
-40
-35.000
P
25.000
-120.000
-1.7
0.0150 -10 -10
40
32
DI038N04PQ2 SMD PowerQFN 5x6
45
38.000
N
31.000
160.000
1.6
0.0100 10 10
47
19
DI038N04PQ2-AQ SMD PowerQFN 5x6
45
38.000
N
31.000
160.000
1.6
0.0100 10 10
47
19
DI040N03PT-AQ SMD PowerQFN 3x3
30
40.000
N
25.000
120.000
1.7
0.0060 15 10
84
34
DI045N03PT SMD PowerQFN 3x3
30
45.000
N
16.000
280.000
1.7
0.0034 24 10
72
26
DI045N03PT-AQ SMD PowerQFN 3x3
30
45.000
N
16.000
280.000
1.7
0.0034 24 10
72
26
DI045N10PQ-Q SMD PowerQFN 5x6
100
45.000
N
110.000
185.000
1.8
0.0055 20 10
38
91
DI048N04PQ2 SMD PowerQFN 5x6
40
48.000
N
28.000
200.000
1.8
0.0080 12 10
47
19
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