MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

(Leistungs-)Schalter und Signalverarbeitung

Stand: 2020-09-23 18:10:08 UTC+2
Artikelnummer
Typ
Gehäuse
Drain-Source-Spannung
VDS
[V]
Drainstrom
ID
[A]
Polarität
pol
[]
Verlustleistung
Ptot
[W]
Drain-Spitzenstrom
IDM
[A]
Schwellspannung
VGSth
[V]
Einschaltwiderstand
RDSon
[Ω]
ID
[A]
VGS
[V]
Einschaltzeit
ton
[ns]
Ausschaltzeit
toff
[ns]
Filter
2N7000 Wire-lead TO-92
60
0.200
N
0.350
0.500
0.8
5.0000 1 10
10
10
2N7002 SMD SOT-23
60
0.280
N
0.350
1.200
2.5
5.0000 1 10
20
20
2N7002A SMD SOT-23
60
0.280
N
0.350
1.200
2.5
2.0000 1 10
20
20
2N7002W SMD SOT-323
60
0.115
N
0.200
0.800
2.5
13.5000 1 10
DI012N60D1 SMD TO-252AA/D-PAK
600
12.000
N
130.000
60.000
3.5
0.2200 8 10
22
62
DI015N25D1 SMD TO-252AA/D-PAK
250
15.000
N
140.000
60.000
3.5
0.2000 20 10
9
12
DI020N06D1 SMD TO-252AA/D-PAK
60
20.000
N
45.000
60.000
1.6
0.0240 20 10
12
20
DI030N03D1 SMD TO-252AA/D-PAK
30
30.000
N
40.000
80.000
1.5
0.0100 20 10
17
25
DI036N20PQ SMD PowerQFN 5X6
200
36.000
N
125.000
145.000
3.0
0.0300 28 10
82
129
DI045N03PT-AQ SMD PowerQFN 3X3
30
45.000
N
25.000
120.000
1.7
0.0060 15 10
84
34
DI080N03PQ SMD PowerQFN 5X6
30
80.000
N
78.000
160.000
1.6
0.0015 20 10
27
75
DI080N06PQ SMD PowerQFN 5X6
60
80.000
N
80.000
240.000
2.0
0.0030 40 10
31
138
DI100N10PQ SMD PowerQFN 5X6
100
100.000
N
250.000
400.000
2.0
0.0041 30 10
36
170
DI110N03PQ SMD PowerQFN 5X6
30
110.000
N
56.000
92.000
1.7
0.0022 20 10
23
92
DI110N15PQ SMD PowerQFN 5X6
150
110.000
N
56.000
145.000
4.0
0.0088 60 10
131
118
DI150N03PQ SMD PowerQFN 5X6
30
150.000
N
86.000
400.000
1.6
0.0009 25 10
33
135
DIT050N06 Wire-lead TO-220AB
60
50.000
N
85.000
90.000
1.9
0.0140 20 10
12
34
DIT090N06 Wire-lead TO-220AB
65
90.000
N
160.000
310.000
2.9
0.0057 30 10
26
65
DIT095N08 Wire-lead TO-220AB
80
95.000
N
170.000
320.000
2.9
0.0066 40 10
30
71
DIT100N10 Wire-lead TO-220AB
100
100.000
N
200.000
380.000
3.0
0.0099 40 10
65
95
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