SIW10C120-AQ
SiC Schottky Dioden

Produktinformationen

Produktfamilie SiC Schottky Dioden
Hochfrequenz-Hochspannungs-Gleichrichtung
Artikelbezeichnung SIW10C120-AQ SiC Schottky 10A 1200V
SiC Schottky, TO-247-2L, 1200V, 10A, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge 450
Bestand 0
Zollnummer 85411000
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer SIW10C120-AQ
SIW10C120-AQ Single K
Typ Wire-lead
Gehäuse TO-247-2L
Qualification AEC-Q101
Config Single K
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
 
Periodische Spitzensperrspannung VRRM 1200.0 V
Dauergrenzstrom IFAV 10.000 A
@ TLoc 150 °C
Location
Sperrschicht Temperatur Tjmax 175 °C
Forward Voltage 25°C VF 1.60 V
@ IF 10.00 A
Peak Forward Surge Current 50Hz IFSM 70.00 A
Leakage Current 25°C IR 60.000 µA
@ VR 1200.0 V
Kapazitive Ladung Qc 57 nC
@ VR 1200.0 V

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