SI08C065D2
SiC Schottky Dioden
Produktinformationen
| Produktfamilie | SiC Schottky Dioden Hochfrequenz-Hochspannungs-Gleichrichtung |
|---|---|
| Artikelbezeichnung |
SI08C065D2
SiC Schottky Diode 8A 650V
SiC Schottky, D2PAK, 650V, 8A, 175°C |
| Mindestbestellmenge | 1.000 |
| Bestand | 0 |
| Zollnummer | 85411000 |
| RoHS / REACH | Ja |
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Verfügbarkeit bei Distributoren
Technische Daten
| Artikelnummer | SI08C065D2 | |
|---|---|---|
|
||
| Typ | SMD | |
| Gehäuse | TO-263AB/D2PAK | |
| Qualification | Industrial Grade | |
| Config | Single | |
| Life Cycle | engineering sample | |
| ESD sensitive | Nein | |
| Periodische Spitzensperrspannung | VRRM | 650 V |
| Dauergrenzstrom | IFAV | 8.000 A |
| @ TLoc | 150 °C | |
| Location | ||
| Sperrschicht Temperatur | Tjmax | 175 °C |
| Forward Voltage 25°C | VF | 1.65 V |
| @ IF | 8.00 A | |
| Peak Forward Surge Current 50Hz | IFSM | 75.00 A |
| Leakage Current 25°C | IR | 20.000 µA |
| @ VR | 650.0 V | |
| Kapazitive Ladung | Qc | 22 nC |
| @ VR | 400 V | |
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