MMFTP6341KW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MMFTP6341KW Gate Protected
MOSFET, SOT-363, P, -30V, -5A, 59mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 3.000
Bestand 0
Zollnummer 85412900
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMFTP6341KW
MMFTP6341KW Single Protected
Typ SMD
Gehäuse SOT-363
Qualification Industrial Grade
Config Single Protected
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Ja
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -30 V
Drain Current 25°C ID -5.000 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0590
@ ID -3 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 0.1000
@ ID -1.500 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 1.500 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM -20.000 A
Schwellspannung VGSth min -1.2 V
VGSth max -2.6 V
Einschaltverzögerung tD(on) 9 ns
Anstiegszeit tr 11 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 14 ns
Abfallzeit tf 3 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 16.0 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 3 nC
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 950 pF
Output Capacitance Coss 51 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 19 pF
Reverse recovery charge Qrr 4 nC

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