MMFTP6312D
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP6312D MOSFET, SOT-26, P, -20V, -2.3A, 0.115Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMFTP6312D

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-26
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V
Drain Current 25°C	ID	-2.300 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.1150 Ω
	@ ID	-2.3 A
	@ VGS	-4.5 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.1550 Ω
	@ ID	-1.900 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.960 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	7.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	4.4 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	1 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	467 pF
Output Capacitance	Coss	85 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	38 pF
Reverse recovery charge	Qrr