MMFTP6312D
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP6312D MOSFET, SOT-26, P, -20V, -2.3A, 0.115Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP6312D

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-26
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	3

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-2.300 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.1150 Ω
	@ ID	-2.3 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.1550 Ω
	@ ID	-1.900 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.960 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	7.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-0.4 V
	VGSth max	-1.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	18 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	4.4 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	467 pF
Ausgangskapazität	Coss	85 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	38 pF
Sperrverzugsladung	Qrr