MMFTP3160R13
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MMFTP3160R13 MMFTP3160 13" on 13" reel
MOSFET, SOT-23, P, -30V, -2A, 72mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 10.000
Bestand 0
Zollnummer 85412100
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMFTP3160R13
MMFTP3160R13 Single
Typ SMD
Gehäuse SOT-23
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -30 V
Drain Current 25°C ID -2.600 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0720
@ ID -2 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 0.1600
@ ID -2.000 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 1.000 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM -10.000 A
Schwellspannung VGSth min -1 V
VGSth max -2.0 V
Einschaltverzögerung tD(on) 8 ns
Anstiegszeit tr 13 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 10 ns
Abfallzeit tf 3 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 8.3 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 2 nC
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 40 pF
Output Capacitance Coss 47 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 410 pF
Reverse recovery charge Qrr 5 nC

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