MMFTP2319A-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MMFTP2319A-AQ
MOSFET, SOT-23, P, -40V, -4.2A, 97mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge 3.000
Bestand 0
Zollnummer 85412100
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMFTP2319A-AQ
MMFTP2319A-AQ Single
Typ SMD
Gehäuse SOT-23
Qualification AEC-Q101
Config Single
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol P
Drain-Source-Spannung VDS -40 V
Drain Current 25°C ID -4.200 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0970
@ ID -3 A
@ VGS -10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 0.1560
@ ID -3.000 A
@ VGS -4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 0.750 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM -30.000 A
Schwellspannung VGSth min -1 V
VGSth max -2.5 V
Einschaltverzögerung tD(on) 7 ns
Anstiegszeit tr 1 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 8 ns
Abfallzeit tf 2 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 1 nC
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 432 pF
Output Capacitance Coss 38 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 17 pF
Reverse recovery charge Qrr 5 nC

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