MMFTP2319A-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP2319A-AQ MOSFET, SOT-23, P, -40V, -4.2A, 97mΩ, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTP2319A-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V

Drainstrom 25°C	ID	-4.200 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.0970 Ω
	@ ID	-3 A
	@ VGS	-10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.1560 Ω
	@ ID	-3.000 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.750 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-30.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	7 ns
Anstiegszeit	tr	1 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	2 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	432 pF
Ausgangskapazität	Coss	38 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	17 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	5 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi