MMFTP2319
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTP2319 MOSFET, SOT-23, P, -40V, -4.2A, 80mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMFTP2319

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-40 V
Drain Current 25°C	ID	-4.200 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0800 Ω
	@ ID	-3.1 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.1200 Ω
	@ ID	-2.600 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.750 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-30.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	3.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	15 ns
Anstiegszeit	tr	28 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	19 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	3 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	1179 pF
Output Capacitance	Coss	82 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	40 pF
Reverse recovery charge	Qrr	9 nC