MMFTN620KDW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN620KDW MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.35A, 2Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN620KDW

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-363
Qualification	Industrial Grade
Config	Dual Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drainstrom 25°C	ID	0.350 A
On-Widerstand 1	RDSon1	2 Ω
	@ ID	0.100 A
	@ VGS	5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	2.5000 Ω
	@ ID	0.050 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.410 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.500 A
Schwellspannung	VGSth min	0.5 V
	VGSth max	1.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	13 ns
Anstiegszeit	tr	13 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	5 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	0.8 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	0 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	49 pF
Ausgangskapazität	Coss	10 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	8 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	4 nC