MMFTN612K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN612K Depletion Mode MOSFET, SOT-23, N, 600V, 40 mA,150Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN612K

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drainstrom 25°C	ID	0.040 A
On-Widerstand 1	RDSon1	150.0000 Ω
	@ ID	0.050 A
	@ VGS	0 V
Drainstrom 100°C	ID	0.000 A
On-Widerstand 2	RDSon2
	@ ID
	@ VGS
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.160 A
Schwellspannung	VGSth min	0.0 V
	VGSth max	0.0 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	22 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	34 ns
Abfallzeit	tf	208 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	7.8 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	3 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	62 pF
Ausgangskapazität	Coss	13 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	9 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	0 nC