MMFTN501K-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN501K-Q Depletion Mode FET MOSFET, SOT-23, N, 600V, 30mA, 500Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN501K-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	600 V

Drain Current 25°C	ID	0.030 A
On-Resistance 1	RDSon1	500 Ω
	@ ID	0.016 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	500.0000 Ω
	@ ID	0.003 A
	@ VGS	0 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.500 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	0.120 A
Schwellspannung	VGSth min	-2.7 V
	VGSth max	-1 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	12 ns
Anstiegszeit	tr	60 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	25 ns
Abfallzeit	tf	100 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	2.8 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	10 pF
Output Capacitance	Coss	3 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	0 pF
Reverse recovery charge	Qrr	963 nC