MMFTN3479KW
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN3479KW Gate Protected MOSFET, SOT-323, N, 20V, 3.5A, 64mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMFTN3479KW

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-323
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	20 V
Drain Current 25°C	ID	3.500 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.0640 Ω
	@ ID	1.500 A
	@ VGS	5 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.0950 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.900 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	14.000 A
Schwellspannung	VGSth min	0.4 V
	VGSth max	1.3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	13 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	2.8 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	1 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	260 pF
Output Capacitance	Coss	65 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	65 pF
Reverse recovery charge	Qrr