MMFTN340K
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN340K MOSFET, SOT-23, N, 100V, 1A, 0.32Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	21.000
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN340K

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	Industrial Grade
Config	Single Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	1.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.3200 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.3400 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	4.000 A
	@ tp
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	8.4 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	454 pF
Ausgangskapazität	Coss	17 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	13 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	15 nC
Flammbarkeitsklasse Gehäuse	UL94-V0	Nein
Nettogewicht	mnet
Kennzeichnung	Marking
Wärmewiderst. Sperrschicht	RTH
	Location
UL anerkannt	UL-Recognition
Wärmewiderst. Sperrschicht (b)	RTH
	Location
Lagerungstemperatur	Tsmin
	Tsmax
Löt- und Einbaubedingungen	Solder & Assembly
Gate-Source Leckstrom	IGSS
	@ VGS
Drain-Source Leckstrom	IDSS
	@ VDS
Gate-Source-Spannung DC	VGSS
Gate-Source-Spannung ESD	VGSS
Übertragungssteilheit	gfs
Intrinsic gate resistance	RGi