MMFTN210A-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN210A-Q MOSFET, SOT-23, N, 100V, 2A, 0.28Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMFTN210A-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein

ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drain Current 25°C	ID	2.000 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.2800 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.3100 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	8.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	10 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	8 ns
Abfallzeit	tf	13 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	8.4 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	1 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	454 pF
Output Capacitance	Coss	17 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	13 pF
Reverse recovery charge	Qrr	15 nC