MMFTN210A-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMFTN210A-AQ MOSFET, SOT-23, N, 100V, 2A, 0.32Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Ja
Halogenfrei	Ja

Artikelnummer	MMFTN210A-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-23
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Ja
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	N
Drain-Source-Spannung	VDS	100 V

Drainstrom 25°C	ID	2.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.3200 Ω
	@ ID	1 A
	@ VGS	10 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.4500 Ω
	@ ID	1.000 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.560 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	7.200 A
Schwellspannung	VGSth min	0.8 V
	VGSth max	1.6 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	5 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	16 ns
Abfallzeit	tf	3 ns
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)	3.5 nC
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	362 pF
Ausgangskapazität	Coss	11 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	7 pF
Sperrverzugsladung	Qrr	24 nC