MMFTN170
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MMFTN170
MOSFET, SOT-23, N, 60V, 0.5A, 5Ω, 150°C
Mindestbestellmenge 3.000
Bestand 654.000
Zollnummer 85412100
Ursprung CN
RoHS / REACH Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMFTN170
MMFTN170 Single
Typ SMD
Gehäuse SOT-23
Qualification Industrial Grade
Config Single
Life Cycle active
ESD sensitive Nein
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N
Drain-Source-Spannung VDS 60 V
Drain Current 25°C ID 0.500 A
On-Resistance 1 RDSon1 5.0
@ ID 0.2 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2
@ ID
@ VGS
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 0.300 W
@ TLoc
Location
Avalanche Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 0.800 A
Schwellspannung VGSth min 0.8 V
VGSth max 3.0 V
Einschaltverzögerung tD(on) 10 ns
Anstiegszeit tr
Ausschaltverzögerung tD(off) 10 ns
Abfallzeit tf
Total Gate Charge (10V) Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 40 pF
Output Capacitance Coss 30 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 10 pF
Reverse recovery charge Qrr

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