MMFTC6333
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)
(Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung MMFTC6333
MOSFET, SOT-26, N+P, 30V, 2.5A, 95mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge 3.000
Bestand 0
Zollnummer 85412100
RoHS compliant
REACH not declarable
Bleifrei Ja
Halogenfrei Ja

Verfügbarkeit bei Distributoren

Technische Daten

Artikelnummer MMFTC6333
MMFTC6333 Dual
Typ SMD
Gehäuse SOT-26
Qualification Industrial Grade
Config Dual
Life Cycle engineering sample
ESD sensitive Nein
MSL 3
 
ESD protection ESD protected Nein
Polarität pol N+P
Drain-Source-Spannung VDS 30 V
Drain Current 25°C ID 2.500 A
On-Resistance 1 RDSon1 0.0950
@ ID 2.500 A
@ VGS 10 V
Drain Current 100°C ID
On-Resistance 2 RDSon2 0.1500
@ ID 2.000 A
@ VGS 4.5 V
Sperrschicht Temperatur Tjmax 150 °C
Verlustleistung Ptot 0.960 W
@ TLoc
Location
Avalanche Nein
Drain-Spitzenstrom IDM 8.000 A
Schwellspannung VGSth min 1.0 V
VGSth max 3.0 V
Einschaltverzögerung tD(on) 5 ns
Anstiegszeit tr 6 ns
Ausschaltverzögerung tD(off) 19 ns
Abfallzeit tf 2 ns
Total Gate Charge (10V) Qg (10V) 4.7 nC
Total Gate Charge (4.5V) Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge Qgd 1 nC
Single pulse avalanche energy Eas
Input Capacitance Ciss 282 pF
Output Capacitance Coss 49 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss 20 pF
Reverse recovery charge Qrr

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