MMBT7002KDW-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MMBT7002KDW-AQ Gate protected MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.3A, 3Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MMBT7002KDW-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-363
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual Protected
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+N
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V
Drain Current 25°C	ID	0.300 A
On-Resistance 1	RDSon1	3 Ω
	@ ID	0.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	4.0000 Ω
	@ ID	0.050 A
	@ VGS	4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.350 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1.200 A
Schwellspannung	VGSth min	1.1 V
	VGSth max	1.8 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	3 ns
Anstiegszeit	tr	3 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	13 ns
Abfallzeit	tf	8 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)	0.4 nC
Gate-Drain Charge	Qgd	0 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	21 pF
Output Capacitance	Coss	12 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	0 pF
Reverse recovery charge	Qrr	29 nC