MDE0A5C060K-AQ
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MDE0A5C060K-AQ MOSFET, SOT-563 Dual, N+P, 60V, 0.5A, 1.8Ω, 150°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant with exemption
REACH	declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	MDE0A5C060K-AQ

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-563
Qualification	AEC-Q101
Config	Dual protected
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD protection	ESD protected	Ja
Polarität	pol	N+P
Drain-Source-Spannung	VDS	60 V

Drain Current 25°C	ID	0.500 A
On-Resistance 1	RDSon1	1.8000 Ω
	@ ID	0.500 A
	@ VGS	10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	4.6000 Ω
	@ ID	-0.100 A
	@ VGS	-10 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.450 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	1.000 A
Schwellspannung	VGSth min	1.0 V
	VGSth max	2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss
Output Capacitance	Coss
Reverse Transfer Capacitance	Crss
Reverse recovery charge	Qrr