MDE001P020
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MDE001P020 MOSFET, SOT-563, P, -20V, -1A, 150mΩ, 150°C
Mindestbestellmenge	4.000
Bestand	0
Zollnummer	85412900
RoHS	compliant
REACH	not declarable
Bleifrei	Nein
Halogenfrei	Nein

Artikelnummer	MDE001P020

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-563
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein
MSL	1

ESD Schutz	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-20 V

Drainstrom 25°C	ID	-1.000 A
On-Widerstand 1	RDSon1	0.1500 Ω
	@ ID	0.950 A
	@ VGS	-4.5 V
Drainstrom 100°C	ID
On-Widerstand 2	RDSon2	0.2000 Ω
	@ ID	0.670 A
	@ VGS	-2.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmin
	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	0.350 W
	@ TLoc	25 °C
	Location
Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-4.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1 V
	VGSth max	-2.5 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Anstiegszeit	tr
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Abfallzeit	tf
Gesamte Gate-Ladung (10V)	Qg (10V)
Gesamte Gate-Ladung (4.5V)	Qg (4.5V)	1.2 nC
Gate-Drain Ladung	Qgd	1 nC
Einzelpuls Avalanche-Energie	Eas
Eingangskapazität	Ciss	170 pF
Ausgangskapazität	Coss	32 pF
Rückwirkungskapazität	Crss	20 pF
Sperrverzugsladung	Qrr