MD10P380-Q
MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren)

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	MOSFETs (Feld-Effekt Transistoren) (Leistungs-)Schalter, Signalverarbeitung, Verpolschutz
Artikelbezeichnung	MD10P380-Q MOSFET, SOT-26, P, -100V, -1.6A, 0.325Ω, 150°C
Mindestbestellmenge	3.000
Bestand	0
Zollnummer	85412100
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	MD10P380-Q

Typ	SMD
Gehäuse	SOT-26
Qualification	AEC-Q compliant
Config	Single
Life Cycle	engineering sample
ESD sensitive	Nein


ESD protection	ESD protected	Nein
Polarität	pol	P
Drain-Source-Spannung	VDS	-100 V
Drain Current 25°C	ID	-1.600 A
On-Resistance 1	RDSon1	0.3250 Ω
	@ ID	-1 A
	@ VGS	-10 V
Drain Current 100°C	ID
On-Resistance 2	RDSon2	0.3800 Ω
	@ ID	-0.500 A
	@ VGS	-4.5 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	150 °C
Verlustleistung	Ptot	1.000 W
	@ TLoc
	Location
Avalanche	Avalanche	Nein
Drain-Spitzenstrom	IDM	-9.000 A
Schwellspannung	VGSth min	-1.2 V
	VGSth max	-2.3 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	8 ns
Anstiegszeit	tr	4 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	12 ns
Abfallzeit	tf	4 ns
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)	16.0 nC
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Gate-Drain Charge	Qgd	2 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	1046 pF
Output Capacitance	Coss	29 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	25 pF
Reverse recovery charge	Qrr	0 nC