DIW120SIC023-AQ
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIW120SIC023-AQ 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 130A, 1200V, 23mΩ, 175°C, AEC-Q101
Mindestbestellmenge	720
Bestand	120
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIW120SIC023-AQ

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	AEC-Q101
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	130.000 A
Drain Current 100°C	ID	100.000 A
Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.0230 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	600.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	260.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.9 V
	VGSth max	2.9 V
Anstiegszeit	tr
Abfallzeit	tf
Total Switching Energy	Etotal
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2	0.0290 Ω
	@ ID	75.000 A
	@ VGS	18 V
Einschaltverzögerung	tD(on)
Ausschaltverzögerung	tD(off)
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Charge	Qgd	21 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	6150 pF
Output Capacitance	Coss	260 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	19 pF
Reverse recovery charge	Qrr
Avalanche	Avalanche	Nein