DIW120SIC022
SiC MOSFETs

Bestand

Produktinformationen

Produktfamilie	SiC MOSFETs High Speed High Voltage (Power) Switch
Artikelbezeichnung	DIW120SIC022 1200V SiC MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A, 1200V, 22.3mΩ, 175°C,
Mindestbestellmenge	450
Bestand	180
Zollnummer	85412900
Ursprung	CN
RoHS / REACH	Ja

Artikelnummer	DIW120SIC022

Typ	Wire-lead
Gehäuse	TO-247-3L
Qualification	Industrial Grade
Config	Single
Life Cycle	active
ESD sensitive	Nein


Polarität	pol	N
Drain Current 25°C	ID	120.000 A
Drain Current 100°C	ID	85.000 A
Drain-Source-Spannung	VDS	1200 V
On-Resistance 1	RDSon1	0.0223 Ω
	@ ID	75 A
	@ VGS	18 V
Sperrschicht Temperatur	Tjmax	175 °C
Verlustleistung	Ptot	340.000 W
	@ TLoc
	Location
Drain-Spitzenstrom	IDM	250.000 A
Schwellspannung	VGSth min	2.0 V
	VGSth max	4.0 V
Anstiegszeit	tr	38 ns
Abfallzeit	tf	35 ns
Total Switching Energy	Etotal
ESD protection	ESD protected	Nein
On-Resistance 2	RDSon2	0.0280 Ω
	@ ID	75.000 A
	@ VGS	18 V
Einschaltverzögerung	tD(on)	150 ns
Ausschaltverzögerung	tD(off)	108 ns
Total Gate Charge (4.5V)	Qg (4.5V)
Total Gate Charge (10V)	Qg (10V)
Gate-Drain Charge	Qgd	48 nC
Single pulse avalanche energy	Eas
Input Capacitance	Ciss	4817 pF
Output Capacitance	Coss	207 pF
Reverse Transfer Capacitance	Crss	45 pF
Reverse recovery charge	Qrr	630 nC
Avalanche	Avalanche	Nein